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FQP3N30是MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP3N30_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有55 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为10ds，正向跨导最小值为1.75S，沟道模式为增强型。
FQP3N25，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQP3N25在TO-220封装中提供，是IC芯片的一部分，N沟道250V 2.8A（Tc）45W（Tc）通孔TO-220-3，Trans MOSFET N-CH 250V 2.8V 3引脚（3+Tab）TO-220导轨。
FQP3N40是FSC制造的MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220。FQP3N40在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220、N沟道400V 2.5A（Tc）55W（Tc）通孔TO-220-30、Trans MOSFET N-CH400V 2.5A 3引脚（3+Tab）TO-220AB导轨。
