9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN6040SSDQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6040SSDQ-13参考价格0.70000美元。Diodes Incorporated DMN6040SSDQ-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8。您可以下载DMN6040SSDQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN6040SSD-13是MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO，包括DMN6040系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1287pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs上的Rds为40 mOhm@4.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为22.4nC@10V，Pd功耗为1.7W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为4 ns，上升时间为8.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为55mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20.1ns，典型接通延迟时间为6.6ns，Qg栅极电荷为22.4nC，正向跨导最小值为4.5S，沟道模式为增强。
DMN6040SK3-13是MOSFET 60V N-CH MOSFET，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及DMN60系列，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的50毫欧姆Rds。此外，包装为卷筒式，设备采用TO-252-3包装箱，设备具有1个通道数，Id连续漏电流为20 a。
DMN6040SSD，电路图由DIODES制造。DMN6040SSD在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
