9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMC3018LSD-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC3018LSD-13参考价格为142.69美元。Diodes Incorporated DMC3018LSD-13封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC。您可以下载DMC3018LSD-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC3016LSD-13带有引脚细节，包括DMC3016系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-SO供应商器件包，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，功率最大值为1.2W，晶体管类型为1 N通道1 P信道、漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1415pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8.2A、6.2A，Rds On最大Id Vgs为16 mOhm@12A、10V，Vgs th最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为25.1nC@10V，Pd功耗为1.2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为5.6 ns 40.4 ns，上升时间为16.5 ns 17.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.2 A-6.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅-源极阈值电压为2.3 V，Rds漏极源极电阻为15 mOhms 30 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为26.1ns 60.5ns，典型接通延迟时间为4.8ns 9.7ns，Qg栅极电荷为11.3nC 10.9nC，沟道模式为增强。
DMC299UDJ-7B，带有DIODES制造的用户指南。DMC2990UDJ-7B采用SOT963封装，是IC芯片的一部分。
DMC3018LSD是由DIODES制造的MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC。DMC3018LSD采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC。
