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AON6812是MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为与8-SMD、扁平铅暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在8-DFN-EP（5.2x5.55）中工作，除了2 N沟道（双）公共漏极FET类型外，该器件还可以用作4.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1720pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为27A，最大Id Vgs的Rds为4 mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为34nC@10V。
AON6816是MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-DFN（5x6）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于6.2 mOhm@16A，10V，提供功率最大功能，如2.8W，封装设计用于Digi-ReelR交替封装，以及8-PowerSMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1540pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有45nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为17A。
AON6850是MOSFET 2N-CH 100V 5A 8DFN，包括5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于100V漏极到源极电压Vdss，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如2 N沟道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于29nC@10V，以及1840pF@50V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用8-PowerSMD，扁平引线封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为1.7W，最大Id Vgs上的Rds为35mOhm@5A，10V，系列为SDMOS？，供应商设备包为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为4V@250μA。
