9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMC3305LSD-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC3035LSD-13参考价格为1.132美元。Diodes Incorporated DMC3305LSD-13封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC。您可以下载DMC3305LSD-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC3028LSDXQ-13带有引脚细节，包括DMC3028系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件在8-SO供应商器件包中提供，该器件具有双重配置，FET类型为N和P通道，最大功率为1.2W，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为641pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5.5A、5.8A，Rds On Max Id Vgs为27mOhm@6A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13.2nC@5V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.3 ns 40.4 ns，上升时间为4.4 ns 17.1 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-20 V，Id连续漏极电流为7.2 A-7.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为1 V-1 V，Rds导通漏极-漏极电阻为35 mOhms 41 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为22.3 ns 60.5 ns，典型接通延迟时间为3.3 ns 9.7 ns，Qg栅极电荷为13.2nC 22nC，信道模式为增强。
DMC3032LSD-13是MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于30 V 30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道1 P沟道，晶体管极性设计用于N沟道P沟道，该器件也可以用作8-SO供应商器件包。此外，该系列为DMC3032，该器件提供32 mOhm@7A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有46 mOhm 53 mOhm Rds On Drain Source电阻，最大功率为2.5W，Pd功耗为2.5W。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Cis-Vds为404.5pF@15V，Id连续漏极电流为8.1 A 7 A，栅极电荷Qg Vgs为9.2nC@10V，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为8.1A，7A，配置为N通道P通道。
DMC3032LSD-13-F，电路图由DIODES制造。DMC3032LSD-13-F采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
