9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN2016LHAB-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2016LHAB-7参考价格0.70000美元。Diodes Incorporated DMN2016LHAB-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN。您可以下载DMN2016LHAB-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2016LFG-7是MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN，包括DMN2016系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerUDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在U-DFN3030-8供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重）公共漏极，最大功率为770mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1472pF@110V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.2A，最大Id Vgs的Rds为18 mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16nC@4.5V，Pd功耗为0.77 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为5.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds漏极源极导通电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为16nC，沟道模式为增强。
DMN2015UFDE-7是MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了DMN2015等系列功能，Rds漏极源电阻设计为工作在50 mOhms，该装置也可用作U-DFN2020-6包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供10.5 A Id连续漏电流。
DMN2015UFDE.TCT，带有SEMTECH制造的电路图。DMN2015UFDE.TCT采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
