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IRF9956TRPBF

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.73589 6.73589
10+ 5.93917 59.39178
100+ 4.55433 455.43360
500+ 3.60001 1800.00550
1000+ 3.00000 3000.00900
4000+ 3.00000 12000.03600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.15647
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.74
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大功率 2W
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 190华氏度@15伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@2.2A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V

IRF9956TRPBF 产品详情

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。

● 第五代技术
● 超低导通电阻
● 双N沟道MOSFET
● 表面贴装
● 极低的栅极电荷和开关损耗
● 完全雪崩等级

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 双N沟道MOSFET
IRF9956TRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRF9956TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF9956TRPBF价格参考¥6.156465,你可以下载 IRF9956TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF9956TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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