国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
● 第五代技术
● 超低导通电阻
● 双N沟道MOSFET
● 表面贴装
● 极低的栅极电荷和开关损耗
● 完全雪崩等级
特色
- 符合RoHS
- 低RDS(打开)
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 双N沟道MOSFET
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.73589 | 6.73589 |
10+ | 5.93917 | 59.39178 |
100+ | 4.55433 | 455.43360 |
500+ | 3.60001 | 1800.00550 |
1000+ | 3.00000 | 3000.00900 |
4000+ | 3.00000 | 12000.03600 |
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国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
● 第五代技术
● 超低导通电阻
● 双N沟道MOSFET
● 表面贴装
● 极低的栅极电荷和开关损耗
● 完全雪崩等级
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。