9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2016LFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2016LFG-7参考价格为0.72000美元。Diodes Incorporated DMN2016LFG-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN。您可以下载DMN2016LFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2014LHAB-7，带引脚细节，包括D014LHAB系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-UFDFN暴露焊盘，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在U-DFN2030-6供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为800mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1550pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，最大Id Vgs的Rds为13 mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16nC@4.5V，Pd功耗为1.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为15.5 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.71V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40.9ns，典型导通延迟时间为6.9ns，Qg栅极电荷为16nC，信道模式是增强。
DMN2015UFDE-7是MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了DMN2015等系列功能，Rds漏极源电阻设计为工作在50 mOhms，该装置也可用作U-DFN2020-6包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供10.5 A Id连续漏电流。
DMN2015UFDE.TCT，带有SEMTECH制造的电路图。DMN2015UFDE.TCT采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
