Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRF8313TRPBF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1359
- 库存: 1
- 单价: ¥1.37036
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,862.32
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 最大功率 2W
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9nC @ 4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.35V@25A.
- 导通电阻 Rds(ON) 15.5毫欧姆@9.7A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 760皮法 @ 15V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.7A
IRF8313TRPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V，英飞凌
IRF8313TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF8313TRPBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRF8313TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF8313TRPBF价格参考￥1.370357，你可以下载 IRF8313TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF8313TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
