9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN5L06VA-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN5L06VA-7参考价格为1.616美元。Diodes Incorporated DMN5L06VA-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563。您可以下载DMN5L06VA-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN5L06TK-7是MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523，包括DMN5L06系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-523，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-523，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为280mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为2 Ohm@50mA，5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为280mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极源极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
DMN5L06V-7是MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SOT-5630供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于3 Ohm@200mA，2.7V，提供功率最大功能，如150mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及SOT-563、SOT-666包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供50pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有2 N通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为50V，25°C电流连续漏极Id为280mA。
DMN5L06K-7-F，电路图由Fairchild制造。DMN5L06K-7-F采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
