9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF5810TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF5810TRPBF参考价格为0.792美元。Infineon Technologies IRF5810TRPBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP。您可以下载IRF5810TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF5810TR是MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表说明中显示了用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSOP供应商设备封装，该器件也可以用作2P沟道（双）FET型。此外，最大功率为960mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有650pF@16V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.9A，最大Id Vgs上的Rds为90mOhm@2.9A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为9.6nC@4.5V。
IRF5810是MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如90 mOhm@2.9A，4.5V，功率最大设计为960mW，TSOT-23-6包装箱。此外，安装类型为表面安装，器件提供650pF@16V输入电容Cis-Vds，器件具有9.6nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为2.9A。
IRF5806TRPBF是MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP，包括-4A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装盒功能，如TSOP-6，封装设计用于卷筒，以及2W Pd功耗，该器件也可以用作8.3nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为86 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.000705 oz，Vds漏极源极击穿电压为-20 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
