特色
- 导通电阻低。
- 小型表面安装封装（TSMT8）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS。
- 无卤素
QH8MA2TCR
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 3A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.56302 | 4.56302 |
| 10+ | 3.88219 | 38.82194 |
| 100+ | 2.90005 | 290.00570 |
| 500+ | 2.27861 | 1139.30800 |
| 1000+ | 1.76074 | 1760.74900 |
| 3000+ | 1.60538 | 4816.16700 |
| 6000+ | 1.50181 | 9010.89000 |
- 库存: 375
- 单价: ¥4.56303
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.56
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管类型 N和P通道
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 1.25瓦
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 供应商设备包装 TSMT8
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 365皮法 @ 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 4.5A, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A, 3A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.4nC @ 10V
QH8MA2TCR 产品详情
中功率MOSFET QH8MA2TCR适用于开关电源。
QH8MA2TCR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | QH8KB5TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | QH8KC5TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.28732 |
 | QH8KA4TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.02561 |
 | QH8M22TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta), 2A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.40176 |
 | QH8KB6TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | QH8JB5TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.32934 |
 | QH8JC5TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.32934 |
 | QH8K22TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 |
 | QH8KA1TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 |
 | QH8MC5TCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta), 3.5A (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.80833 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
