9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF5810TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF5810TR参考价格为0.522美元。Infineon Technologies IRF5810TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP。您可以下载IRF5810TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF5810是MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于管封装，数据表注释中显示了用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-TSOP以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作960mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供650pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@2.9A，4.5V，Vgs th最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为9.6nC@4.5V。
IRF5806TRPBF是MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作86毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为8.3 nC，该器件提供2 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TSOP-6，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为-4A。
IRF5806是由IR制造的MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP。IRF5806是SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 4A 6-TS OP，P沟道20V 4A（Ta）2W（Ta）表面安装Micro6？（TSOP-6）。
