9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDC6020C_F077，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDC6020C_F077参考价格$2.172。onsemi FDC6020C_F077封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP。您可以下载FDC6020C_F077英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDC6000NZ_F077，带引脚细节，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-SSOT扁平导线，SuperSOT-6 FLMP，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及SuperSOT-6 FLMP供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为1.2W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有840pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7.3A，最大Id Vgs上的Rds为20mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@4.5V。
FDC6020C是MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT，包括1.5V@250μ-6 FLMP供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如27 mOhm@5.9A，4.5V，Power Max设计为1.2W，以及Digi-ReelR封装，该设备还可以用作6-SSOT扁平导线，SuperSOT-6 FLMP封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有677pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为8nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为5.9A、4.2A。
FDC601PZ，带有FAIRCILD制造的电路图。FDC601PZ采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
