9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF5852TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF5852TR参考价格为1.828美元。Infineon Technologies IRF5852TR封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP。您可以下载IRF5852TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF5851TR是MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSOP供应商设备包，该器件也可以用作N和P沟道FET型。此外，最大功率为960mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有400pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.7A、2.2A，Rds On Max Id Vgs为90mOhm@2.7A、4.5V，Vgs th Max Id为1.25V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@4.5V。
IRF5851TRPBF是MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP，包括1.25V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如90 mOhm@2.7A，4.5V，功率最大设计为960mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为400pF@15V，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为2.7A、2.2A。
IRF5852是MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP，包括2.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在6nC@4.5V下工作，以及400pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，封装外壳为SOT-23-6薄型TSOT-23-6，器件采用管式封装，器件最大功率为960mW，Rds On Max Id Vgs为90mOhm@2.7A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为6-TSOP，Vgs th Max Id为1.25V@250μa。
