9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7325TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7325TR参考价格为0.942美元。Infineon Technologies IRF7325TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC。您可以下载IRF7325TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRF7325TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF7324TRPBF是MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为2940pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，最大值Rds Id Vgs为18mOhm@9A，4.5V，Vgs最大值Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为63nC@5V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为190 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs第h栅极-源极端电压为-1 V，Rds漏极-源极电阻为18m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为42nC，正向跨导Min为19S。
IRF7325是MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如24 mOhm@7.8A，4.5V，功率最大设计用于2W，以及管封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2020pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为33nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为7.8A。
IRF7325PBF是MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC，包括7.8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在33nC@4.5V下工作，除了2020pF@10V输入电容Cis Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为24 mOhm@7.8A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为900mV@250μa。
