9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7755TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7755TRPBF参考价格$2.182。Infineon Technologies IRF7755TRPBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP。您可以下载IRF7755TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7755TR是MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可作为2 P通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为1W，器件提供20V漏极到源极电压Vdss，器件具有1090pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.9A，最大Id Vgs上的Rds为51 mOhm@3.7A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V。
IRF7755GTRPBF是MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如51 mOhm@3.7A，4.5V，Power Max设计用于1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1090pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.9A。
IRF7755是MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP，包括3.9A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在17nC@4.5V下工作，除了1090pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为1W，最大Id Vgs的Rds为51 mOhm@3.7A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-TSSOP，Vgs最大Id为1.2V@250μa。
