9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7329TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7329TR参考价格为0.728美元。Infineon Technologies IRF7329TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC。您可以下载IRF7329TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7329PBF是MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为3450pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9.2A，Rds最大值Id Vgs为17mOhm@9.2A，4.5V，Vgs最大值Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为57nC@4.5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为260 ns，上升时间为8.6 ns，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏电流为-9.2 A，Vds漏源击穿电压为-12 V，Rds漏源电阻为17 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为340ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为38nC，沟道模式为增强。
IRF7328TRPBF是MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.019048 oz，典型开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，器件采用Si技术，器件具有8-SO供应商器件封装，系列为HEXFET，上升时间为15ns，Rds On Max Id Vgs为21mOhm@8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为21m欧姆，Qg栅极电荷为52nC，功率最大值为2W，Pd功耗为2W，并且包装是管交替包装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为2675pF@25V，Id连续漏极电流为-8 A，栅极电荷Qg Vgs为78nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为98ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8A，配置为双通道，通道模式为增强型。
IRF7329带有由IR制造的电路图。IRF7329在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
