9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN601VKQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN601VKQ-7参考价格为0.41000美元。Diodes Incorporated DMN601VKQ-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563。您可以下载DMN601VKQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN601TK-7是MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523，包括DMN60系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000071盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-523，以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-523，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为300mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为2 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为800mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
DMN601K-7-F是由DIODES制造的MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3。DMN601K-7-F以TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3。
DMN601TK，电路图由DIODES制造。DMN601TK在SOT523封装中提供，是FET的一部分-单个。
DMN601TK-7-F是由DIODES制造的MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523。DMN601TK-7-F在SOT-523封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523。
