9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2008LFU-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2008LFU-13参考价格为0.26190美元。Diodes Incorporated DMN2008LFU-13封装/规格：MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030。您可以下载DMN2008LFU-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN2008LFU-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN2005UFG-7带有引脚细节，包括DMN2005系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.27 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为25.7 ns，Vgs栅极-源极电压为4.5 V，Id连续漏极电流为24.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为114ns，典型接通延迟时间为12.4ns，Qg栅极电荷为68.8nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN2005UFG-13，包括0.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供单位重量功能，如0.002540 oz，典型开启延迟时间设计为12.4 ns，以及114 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的DMN2005，上升时间为25.7ns，Rds漏极-源极电阻为8.7mOhms，Qg栅极电荷为68.8nC，Pd功耗为2.27W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerDI-3333，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为18.1 A，下降时间为38 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMN2005LPK-7是MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN，包括增强型通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了440 mA使用的Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为DFN-3，器件采用卷筒封装，器件具有450mW的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，系列为DMN2005，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极/源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为10V。
DMN2005UPS-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN2005等系列功能，晶体管类型设计为在1个N通道以及1个通道数量的通道中工作。
