9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7331TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7331TR参考价格为0.8992美元。Infineon Technologies IRF7331TR封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC。您可以下载IRF7331TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7331PBF是MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1340pF@16V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A，最大Id Vgs上的Rds为30mOhm@7A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@4.5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为50ns，上升时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第h栅极-源极端电压为0.6V至1.2V，Rds漏极-源极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为7.6ns，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导最小值为14S，沟道模式为增强。
IRF7329TRPBF是MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-0.9 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-12 V，提供单位重量功能，如0.019048 oz，晶体管类型设计为在2 P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商器件封装为8-SO，器件为HEXFETR系列，器件具有8.6 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为17 mOhm@9.2A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为17 mOhm，Qg栅极电荷为57 nC，最大功率为2W，Pd功耗为2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Ciss Vds为3450pF@10V，Id连续漏极电流为-9.2 A，栅极电荷Qg Vgs为57nC@4.5V，正向跨导最小值为25 S，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为260ns，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为9.2A，配置为双重。
IRF7331是MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC，包括7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在20nC@4.5V下工作，除了1340pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为30mOhm@7A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为1.2V@250μa。
