9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2012UCA6-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2012UCA6-7参考价格为0.59044美元。Diodes Incorporated DMN2012UCA6-7封装/规格：MOSFET BVDSS：8V-24V X3-DSN2718-。您可以下载DMN2012UCA6-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN2012UCA6-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN26D0UT-7是MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523，包括DMN26系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-523，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-523，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为14.1pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为230mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为3 Ohm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15.2 ns，上升时间为7.9 ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为230mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13.4ns，典型接通延迟时间为3.8ns，沟道模式为增强。
DMN26D0UFB4-7B，带有DIODES制造的用户指南。DMN26D0UFB4-7B采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
DMN26D0UT-7-F，电路图由DIODES制造。DMN26D0UT-7-F采用SOT-523封装，是IC芯片的一部分。
DMN26D0VT-7-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN26D0VT-7-F采用SOT523封装，是IC芯片的一部分。
