英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件，以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案，适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项，设计者可以选择双N通道配置。
IRF7910TRPBF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 71
- 库存: 545
- 单价: ¥2.82835
-
数量:
- +
- 总计: ¥200.81
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 最大功率 2W
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26nC @ 4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A
- 导通电阻 Rds(ON) 15毫欧姆@8A，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1730皮法@6V
IRF7910TRPBF 产品详情
双N沟道功率MOSFET，Infineon
IRF7910TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF7910TRPBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRF7910TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7910TRPBF价格参考￥2.828352，你可以下载 IRF7910TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7910TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
