9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7752TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7752TR参考价格为0.7美元。Infineon Technologies IRF7752TR封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP。您可以下载IRF7752TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7752GTRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包装，该设备也可作为2 N通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为1W，器件提供30V漏极到源极电压Vdss，器件具有861pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4.6A，最大Id Vgs上的Rds为30mOhm@4.6A，10V，Vgs最大Id为2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@4.5V。
IRF7752是MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如30 mOhm@4.6A，10V，功率最大设计为1W，以及管封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有861pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4.6A。
IRF7752G带有由IR制造的电路图。IRF7752 G在TSSOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
