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DMN3016LDV-13

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 1.93385 5801.56200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.93385
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5,801.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 最大功率 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 供应商设备包装 PowerDI3333-8
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@7A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1184皮法@15V

DMN3016LDV-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

DMN3016LDV-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMN3016LDV-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3016LDV-13价格参考¥1.933854,你可以下载 DMN3016LDV-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3016LDV-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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