9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7756TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7756TR参考价格为34.886美元。Infineon Technologies IRF7756TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP。您可以下载IRF7756TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7756GTRPBF是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可作为2 P通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为1W，器件提供12V漏极到源极电压Vdss，器件具有1400pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A，最大Id Vgs上的Rds为40mOhm@4.3A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@4.5V。
IRF7756是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如40mOhm@4.3A，4.5V，功率最大设计用于1W，以及管封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1400pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为4.3A。
7755转/分钟。电路图由IR制造。IRF7755TRPBF。MSOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
