QH8K51TR
- 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.95318 | 6.95318 |
10+ | 6.22889 | 62.28894 |
100+ | 4.85564 | 485.56400 |
500+ | 4.01140 | 2005.70400 |
1000+ | 3.16695 | 3166.95800 |
3000+ | 2.95582 | 8867.48100 |
6000+ | 2.87905 | 17274.31800 |
- 库存: 344
- 单价: ¥6.95318
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.95
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道(双通道)
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 导通电阻 Rds(ON) 325毫欧姆 @ 2A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.7nC @ 5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290华氏度@25伏
- 供应商设备包装 TSMT8
- 最大功率 1.1W(Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...