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IPG16N10S4-61是MOSFET MOSFET，包括XPG16N10系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG16N1 0S461ATMA1 IPG16N 0S461XT SP000892972的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PG-TDSON-8，以及Si技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，该配置为2 N沟道，该器件为2 N型沟道晶体管，该器件具有29 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为61mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5ns，典型接通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为5.4nC，沟道模式为增强。
IPG15N06S3L-45是MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8，包括2.2V@10μA Vgs th Max Id，它们设计为与PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包一起工作，数据表注释中显示了用于OptiMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如45 mOhm@10A，10V，Power Max设计为在21W下工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有1420pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为55V，电流连续漏极Id为25°C，为15A。
IPG1-30037-1是断路器MAG-HYDR杠杆，包括杠杆执行器类型，它们设计为与磁性（液压延迟）断路器类型一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于面板安装，提供极数功能，如1，系列设计用于IPG。
