9icnet为您提供由英飞凌技术公司设计和生产的IPG20N06S250ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG20N6S2L50ATMA1参考价格为0.38000美元。Infineon Technologies IPG20N6S2L50ATMA1封装/规格：MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON。您可以下载IPG20N6S2L50ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPG20N6S2L50AATMA1是MOSFET 2N-CH 8TDSON，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了IPG20N06S2L-50A SP001023842中使用的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的PG-TDSON-8-10，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为51W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为55V，输入电容Cis-Vds为560pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为50 mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2V@19μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，Pd功耗为51 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为2ns，并且Qg栅极电荷为13nC，并且信道模式为增强。
IPG20N06S2L-50是MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该器件也可以用作OptiMOS系列。此外，Rds漏极-源极电阻为50 mOhm，该器件提供51 W Pd功耗，该器件具有IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N6S2L50XT SP000613728零件别名，包装为卷轴式，封装盒为TDSON-8，通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，并且Id连续漏极电流为20A，并且配置为双重。
IPG20N06S2L35ATMA1，带电路图，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于55V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于23nC@10V，以及790pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为65W，Rds On Max Id Vgs为35mOhm@15A，10V，系列为OptiMOS？，供应商设备包为PG-TDSON-8-4（5.15x6.15），Vgs th最大Id为2V@27μA。
