9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6562DQ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6562DQ-T1-E3参考价格$0.84。Vishay Siliconix SI6562DQ-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP。您可以下载SI6562DQ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6562CDQ-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI6562C-DQ-GE3的零件别名，该SI6562CQ-GE3提供单位重量功能，如0.005573盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽）封装盒外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双双源，FET类型为N和P通道，最大功率为1.6W、1.7W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为850pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为6.7A、6.1A，最大Id Vgs的Rds为22mOhm@5.7A、4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Pd功耗为1.1W 1.2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，并且下降时间为10ns 25ns，上升时间为10ns25ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5.7A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极导通电阻为18mΩ24mΩ，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为25nS 45nS，典型接通延迟时间为12nS 30nS，信道模式为增强。
SI6562DQ，带有VISHAY制造的用户指南。SI6562DQ在TSSOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI6562DQ-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI6562DQ-T1在MSOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
