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IPG16N10S461ATMA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPG16N10S4-61 IPG16N1 0S461XT SP000892972，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包，配置为双路，FET类型为2 N信道（双路），最大功率为29W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为490pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为16A，最大Id Vgs上的Rds为61mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为3.5V@9μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，Pd功耗为29W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为1ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为16A 16A，Vds漏极-源极击穿电压为100V 100V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为53mOhms 53mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5ns，典型开启延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为5.4nC，信道模式为增强。
IPG16N10S4-61是MOSFET MOSFET，包括2.8 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为5 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，技术为Si，器件为XPG16N10系列，器件的上升时间为1ns，漏极-源极电阻Rds为61mOhms，Qg栅极电荷为5.4nC，Pd功耗为29W，部件别名为IPG16N10S461ATMA1 IPG16N60S461XT SP000892972，包装为卷筒，包装盒为PG-TDSON-8，信道数为2信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为5 ns，配置为2N通道，通道模式为增强型。
IPG16N10S461AATMA1，带电路图，包括16A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于100V漏极到源极电压Vdss，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于7nC@10V，以及490pF@25V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），设备具有8功率VDFN封装盒，包装为磁带和卷轴（TR），零件别名为IPG16N10S4-61A SP001091952，功率最大值为29W，Rds On Max Id Vgs为61 mOhm@16A，10V，系列为汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，供应商器件封装为PG-TDSON-8-10，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。Vgs th Max Id为3.5V@9μA。
