9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPG20N06S2L0AATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG20N6S2L50AATMA1参考价格为0.39000美元。Infineon Technologies IPG20N6S2L50AATMA1封装/规格：MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON。您可以下载IPG20N6S2L50AATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPG20N06S2L-50是MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG20N6S2L50ATMA1 IPG20N86S2L50XT SP000613728的部件别名，该IPG20M06S250XT SP000 613728提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2 N信道晶体管型，Pd功耗为51 W，最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为20 a，Vds漏源击穿电压为55 V，漏极-源极电阻Rds为50毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
IPG20N06S2L35AATMA1，带有用户指南，包括2V@27μA Vgs th Max Id，设计用于PG-TDSON-8-10供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如35 mOhm@15A，10V，Power Max设计为65W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有790pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为55V，25°C的电流连续漏极Id为20A（Tc）。
IPG20N06S2L35ATMA1，带电路图，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于55V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于23nC@10V，以及790pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为65W，Rds On Max Id Vgs为35mOhm@15A，10V，系列为OptiMOS？，供应商设备包为PG-TDSON-8-4（5.15x6.15），Vgs th最大Id为2V@27μA。
