9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6981DQ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6981DQ-T1-E3参考价格为1.074美元。Vishay Siliconix SI6981DQ-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP。您可以下载SI6981DQ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6973DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于SI6973DQ GE3的零件别名，该SI6973DQ-GE3提供单位重量功能，如0.005573盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒外，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.1A，最大Id Vgs上的Rds为30 mOhm@4.8A，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为30nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为30 mΩ，晶体管极性为P沟道。
SI6975DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP，包括450mV@5mA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-12 V，提供单位重量功能，如0.005573 oz，晶体管类型设计用于2 P通道，以及P通道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-TSSOP，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有27 mOhm@5.1A、4.5V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为27 mOhms，最大功率为830mW，Pd功耗为830 mW，零件别名为SI6975DQ-GE3，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为4.3 A，栅极电荷Qg Vgs为30nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏极Id为4.3A，配置为双重。
SI6975DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP，包括4.3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在30nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备最大功率为830mW，Rds On Max Id Vgs为27mOhm@5.1A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为8-TSSSOP，Vgs th Max Id为450mV@5mA（Min）。
