9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6983DQ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6983DQ-T1-E3参考价格为0.752美元。Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP。您可以下载SI6983DQ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6975DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于SI6975DQ GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.005573盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒外，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为12V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A，最大Id Vgs上的Rds为27 mOhm@5.1A，4.5V，Vgs最大Id为450mV@5mA（最小），栅极电荷Qg Vgs为30nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为27 mΩ，晶体管极性为P沟道。
SI6981DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP，包括900mV@300μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如31 mOhm@4.8A，4.5V，Power Max设计用于830mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有25nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.1A。
SI6981DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP，包括4.1A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在25nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），设备采用Digi-ReelR包装，设备最大功率为830mW，Rds On Max Id Vgs为31 mOhm@4.8A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为8-TSSSOP，Vgs th Max Id为900mV@300μa。
