9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7756TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7756TRPBF参考价格2.0136美元。Infineon Technologies IRF7756TRPBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP。您可以下载IRF7756TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7756TR是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可作为2 P通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为1W，器件提供12V漏极到源极电压Vdss，器件具有1400pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A，最大Id Vgs上的Rds为40mOhm@4.3A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@4.5V。
IRF7756GTRPBF是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如40mOhm@4.3A，4.5V，Power Max设计用于1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1400pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为4.3A。
IRF7756是MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP，包括4.3A电流连续漏极Id 25°C，设计用于12V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于18nC@4.5V，除了1400pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为1W，最大Id Vgs的Rds为40mOhm@4.3A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-TSSOP，Vgs最大Id为900mV@250μa。
