9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6993DQ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6993DQ-T1-E3参考价格为2.128美元。Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP。您可以下载SI6993DQ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI6991DQ-T1-E3是MOSFET 30V 4.2A 0.83W，包括SI6991DQ系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI6991DQ-T1的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.005573盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TSSOP-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2个晶体管型P信道，Pd功耗为830 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为40mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI6991DQ-T1-GE3是MOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.005573盎司，提供晶体管类型功能，如2 P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作SI6991DQ系列。此外，Rds漏极-源极电阻为40 mOhm，该器件提供830 mW Pd功耗，该器件具有SI6991DQ-GE3零件别名，包装为卷筒，包装箱为TSSOP-8，通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为3.6 A，配置为双重。
SI6983DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP，包括4.6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在30nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备最大功率为830mW，Rds On Max Id Vgs为24mOhm@5.4A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为8-TSSSOP，Vgs th Max Id为1V@400μa。
