9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2400UV-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2400UV-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMN2400UV-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563。您可以下载DMN2400UV-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2400UFD-7是MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3，包括DMN24系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如X1-DFN1212-3，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供400 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.54 ns，上升时间为7.28 ns，Id连续漏极电流为900 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds漏极-源极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为13.74ns，典型的接通延迟时间为4.06ns，Qg栅极电荷为0.5nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN2400UFDQ-13，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了在Si中使用的技术，该Si提供了DMN2400等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1个信道数。
带有电路图的DMN2400UFDQ-7，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN2400，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
