9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN21D1UDA-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN21D1UDA-7B参考价格为0.11181美元。Diodes Incorporated DMN21D1UDA-7B封装/规格：MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6。您可以下载DMN21D1UDA-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN21D1UDA-7B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN2114SN-7是MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3，包括DMN21系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有500 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为1.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
DMN2114SN-7-F，带有GP/DIODES制造的用户指南。DMN2114SN-7-F采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
DMN2170U，电路图由DIODES制造。DMN2170U采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
DMN2170U-7是由DIODES制造的MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3。DMN2170U-7采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3、N沟道20V 2.3A（Ta）600mW（Ta）表面安装SOT-23-2。
