9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6925ADQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6925ADQ-T1-GE3参考价格为0.352美元。Vishay Siliconix SI6925ADQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP。您可以下载SI6925ADQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI6925ADQ-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI6925ADQ-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SI6924AEDQ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP，它们设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为28V，该器件采用逻辑电平门FET特性，该器件具有4.1A的电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为33 mOhm@4.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V。
SI6925ADQ-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP，包括1.8V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-TSSOP供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于45 mOhm@3.9A，4.5V，提供功率最大功能，如800mW，封装设计为在Digi-ReelR中工作，以及8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2个N通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.3A。
SI6924EDQ-T1，电路图由SILICONIX制造。SI6924EDQ-T1采用TSSOP8封装，是IC芯片的一部分。
