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EM6K7T2R

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.47296 0.47296
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为25皮法
  • 最大功率 150mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 供应商设备包装 EMT6
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@200毫安,2.5V

EM6K7T2R 产品详情

复杂型MOSFET(N+N)通过可用于广泛应用的微处理技术制成低导通电阻器件。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场上的各种需求。

特色

  • 低压(1.2V)驱动类型
  • Nch+Nch小信号MOSFET
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


EM6K7T2R所属分类:场效应晶体管阵列,EM6K7T2R 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EM6K7T2R价格参考¥0.472961,你可以下载 EM6K7T2R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EM6K7T2R规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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