专为宽带操作（1880 MHz至2025 MHz）而设计的去耦引线可提高视频带宽卓越的耐用性高效性卓越的热稳定性内部匹配，便于使用高功率增益集成ESD保护符合指令2002/95/EC关于有害物质限制（RoHS）的规定
160W LDMOS晶体管，用于频率从1880MHz到2025 MHz的基站应用。表1。典型性能在共源AB类生产测试电路中，半器件在Tcase下的典型RF性能。测试信号2载波W-CDMA
测试信号：3GPP测试模型1；64dpch；CCDF的标准杆数概率为0.01%；载波间隔＝5MHz。专为宽带操作（1880 MHz至2025 MHz）而设计的去耦引线可提高视频带宽卓越的耐用性高效性卓越的热稳定性内部匹配，便于使用高功率增益集成ESD保护符合指令2002/95/EC关于有害物质限制（RoHS）的规定
射频功率放大器，用于1880 MHz至2025 MHz频率范围内的基站和多载波应用
表2。引脚引脚说明栅极去耦引线漏极去耦引线源极表3。订购信息包装名称描述版本SOT1221-1型号
BLP8G21S-160PV HSOP6F塑料，散热片小外形封装；6根导线（扁平）
表4。极限值符合绝对最大额定值系统（IEC 60134）。符号VDS VGS Tstg Tj参数漏极-源极-电压栅极-源极电压存储温度结温度条件最小0.5 65最大单位
表5。符号热特性参数条件Tcase PL=<tbd>W典型单位<tbd>K/WRth（j-case）从接头到外壳的热阻
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表6。除非另有规定，否则每个截面的直流特性为25 C。符号参数VGS（th）IDSS IDSX IGSS gfs RDS（on）栅极源极阈值电压漏极漏极电流漏极截止电流栅极漏极电流正向跨导条件VDS 125 mA VGS 0 V；VDS 28 V VGS=VGS（th）3.75 V；VDS 10 V VGS 11 V；VDS 0 V VDS 125 mA最小65 1.4典型最大1.4单位nA S V（BR）DSS漏极-源极击穿电压VGS 1.25 mA
表7。射频特性测试信号：2载波W-CDMA；CCDF的标准杆数概率为0.01%；载波间隔＝5MHz；3GPP测试模型1；64 DPCH；=1882.5兆赫；=1887.5兆赫；=1912.5兆赫；=1917.5兆赫；VDS 28V下半器件的射频性能；IDq=600 mA；Tcase 25 C；除非另有规定；在AB类生产测试电路中。符号Gp D RLin ACPR参数功率增益漏极效率输入回波损耗相邻信道功率比条件PL（AV）20 W PL（AV
BLP8G21S-160PV能够在以下条件下承受与VSWR相对应的负载失配：半设备；VDS 28伏；IDq=600 mA；80瓦（连续波）；=1880兆赫。
