特色
- 下部RDS（打开）
- 降低VDS（打开）
- 降低和收紧VSD
- 下二极管反向恢复时间
- 较低的反向恢复存储电荷
- 符合RoHS
应用
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥接电路
（图片：引出线）
NTD3055AVT4
- 描述:NFET DPAK 60V 0.15R TR
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1519
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1519+ | 1.44858 | 2200.39302 |
- 库存: 5000
- 单价: ¥1.44858
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,200.39
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 噪声系数 -
- 电流检测值 -
- 晶体管类别 -
- 频率 -
- 额定电流（单位：安培） -
- 增益 -
- 电压检测值 -
- 输出端功率 -
- 额定电压 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
NTD3055AVT4 产品详情
设计用于电源、转换器、电机控制和桥接电路中的低压、高速开关应用。
NTD3055AVT4 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTD4302-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | ¥1.59344 |
| NTD2955-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥1.01401 |
 | NTD60N02R-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 24V 62A IPAK | ¥0.86915 |
 | NTD20N06L | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN LL 20A 60V DPAK | ¥3.11445 |
| NTD4404N1G | 安盛美 (onsemi) | POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN | ¥2.96959 |
 | NTD2955-1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.37375 |
 | NTD50N03RT4 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4808N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4970N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W（Ta），24.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | NTDV20N06T4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1.88W（Ta），60W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
NTD3055AVT4所属分类：场效应射频晶体管，NTD3055AVT4 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTD3055AVT4价格参考￥1.448580，你可以下载 NTD3055AVT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTD3055AVT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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