6116LA25SOG 5V CMOS SRAM的结构为2K x 8。6116LA25SOG提供了低功耗待机模式。低功耗(LA)版本还提供了电池备份数据保留功能,在这种情况下,电路通常仅消耗1μW至4μW的2V电池电量。所有输入和输出都兼容TTL。使用全静态异步电路,无需时钟或刷新操作。提供军用级产品。
特色
- 高速访问和芯片选择时间–军用:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(最大值)–工业:20/25ns(最大)–商用:15/20/25ns
- 低功耗
- 电池备份操作–2V数据保持电压(仅限LA版本)
- 采用先进的CMOS高性能技术生产
- CMOS工艺实际上消除了阿尔法粒子软错误率
- 直接输入和输出TTL兼容
- 静态操作:无需时钟或刷新
- 提供陶瓷24引脚DIP、陶瓷和塑料24引脚Thin DIP和24引脚SOIC封装
- 军用产品符合MIL-STD-833,B级