Mosfet阵列3 N沟道，共栅600V 80mA 1.3W 8-SOIC
MOSFET 600V，3 N沟道FET
特色
- 600V击穿电压
- 三个N沟道MOSFET
- 所有三个FET的单栅极控制
- Vgs=10V时，Rds（开）=200Ω
- 开关电流>0.1A
- 快速切换
LN60A01ES-C313-LF-Z
- 描述:MOSFET N-CH ARRAY 600V 8SOIC
- 品牌: 芯源系统 (Monolithic Power)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.09948
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.10
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 场效应管类型 -
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 芯源系统 (Monolithic Power)
LN60A01ES-C313-LF-Z 产品详情
LN60A01ES-LF单片电源系统，MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Mosfet阵列3 N沟道，共栅600V 80mA 1.3W 8-SOIC
MOSFET 600V，3 N沟道FET
Mosfet阵列3 N沟道，共栅600V 80mA 1.3W 8-SOIC
MOSFET 600V，3 N沟道FET
LN60A01ES-C313-LF-Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | LN6206P302MR-G | 南麟 (natlinear) | 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：6V 输出电压：3V 输出电流：250mA 电源纹波抑制比(PSRR)：40dB@(1kHz) | ¥0.24921 |
 | LN6206P282MR-G | 南麟 (natlinear) | 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：6V 输出电压：2.8V 输出电流：250mA 电源纹波抑制比(PSRR)：40dB@(1kHz) | ¥0.2417 |
 | LN6206P332MR-G | 南麟 (natlinear) | 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：6V 输出电压：3.3V 输出电流：250mA 电源纹波抑制比(PSRR)：40dB@(1kHz) | ¥0.23495 |
| LN6291H | 南麟 (natlinear) | 暂无 | ¥0.65255 |
 | LN61CN3302MR-G | 南麟 (natlinear) | 暂无 | ¥0.36682 |
| LN61CN3002MR-G | 南麟 (natlinear) | 暂无 | ¥0.39081 |
| LN61CC2802MR-G | 南麟 (natlinear) | 暂无 | ¥0.36123 |
| LN61CN2202MR-G | 南麟 (natlinear) | 暂无 | ¥0.29349 |
| LN61CC3002MR-G | 南麟 (natlinear) | 暂无 | ¥0.31654 |
 | LN61CN3502MR-G | 南麟 (natlinear) | 暂无 | ¥0.37673 |
LN60A01ES-C313-LF-Z所属分类：场效应晶体管阵列，LN60A01ES-C313-LF-Z 由 芯源系统 (Monolithic Power) 设计生产，可通过久芯网进行购买。LN60A01ES-C313-LF-Z价格参考￥4.099481，你可以下载 LN60A01ES-C313-LF-Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询LN60A01ES-C313-LF-Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
芯源系统 (Monolithic Power)
单片电源系统公司（MPS）专注于高性能、集成电源解决方案。该公司为工业应用、电信基础设施、云计算、汽车和消费者应用中的系统提供小型、高效能的解决方案。MPS的使命是用绿色、易用、紧凑的产品改善生活质量。
