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LN60A01ES-LF-Z

  • 描述:场效应管类型: 3 N通道,公共门 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -20摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 品牌: 芯源系统 (Monolithic Power)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1,546.53298
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,546.53
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规格参数

  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最大功率 1.3瓦
  • 漏源电压标 (Vdss) 600V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80毫安
  • 制造厂商 芯源系统 (Monolithic Power)
  • 场效应管类型 3 N通道,公共门
  • 导通电阻 Rds(ON) 190欧姆@10毫安,10V
  • 工作温度 -20摄氏度~125摄氏度(TJ)

LN60A01ES-LF-Z 产品详情

LN60A01ES-LF-Z单片电源系统,MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Mosfet阵列3 N沟道,共栅600V 80mA 1.3W 8-SOIC
MOSFET 600V,3 N沟道FET

特色

  • 600V击穿电压
  • 三个N沟道MOSFET
  • 所有三个FET的单栅极控制
  • Vgs=10V时,Rds(开)=200Ω
  • 开关电流>0.1A
  • 快速切换


LN60A01ES-LF-Z所属分类:场效应晶体管阵列,LN60A01ES-LF-Z 由 芯源系统 (Monolithic Power) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LN60A01ES-LF-Z价格参考¥1546.532980,你可以下载 LN60A01ES-LF-Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LN60A01ES-LF-Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

芯源系统 (Monolithic Power)

芯源系统 (Monolithic Power)

单片电源系统公司(MPS)专注于高性能、集成电源解决方案。该公司为工业应用、电信基础设施、云计算、汽车和消费者应用中的系统提供小型、高效能的解决方案。MPS的使命是用绿色、易用、紧凑的产品改善生活质量。

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