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IPG20N04S4L08ATMA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了IPG20N04S4L-08 IPG20R04S4L08XT SP000705576中使用的零件别名，该设备提供封装盒功能，如8-PowerVDFN，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装型。此外，信道数为1信道，该设备在PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包中提供，该设备具有2 N信道（双）FET类型，最大功率为54W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为3050pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为8.2mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为2.2V@22μA，栅极电荷Qg Vgs为39nC@10V，晶体管极性为N沟道。
IPG20N04S4L-11是MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极-源极电阻为11.6 mOhms，该器件提供41 W Pd功耗，该器件具有IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20R04S4L11XT SP000705564部件别名，包装为卷轴式，封装盒为TDSON-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，并且Id连续漏极电流为20A，并且配置为双重。
带电路图的IPG20N04S4L-11A，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG20R04S4L11AATMA1 SP001023836的部件别名，该产品提供XPG20N04等系列功能，技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
