9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPG20N04S4L07ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG20N04S4L07ATMA1价格参考1.92000美元。Infineon Technologies IPG20N04S4L07ATMA1封装/规格：MOSFET 2N-CH 8TDSON。您可以下载IPG20N04S4L07ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPG20N04S4L-07是MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG20R04S4L07ATMA1 IPG20M04S4L07XT SP000705484的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2 N信道晶体管型，Pd功耗为65W，最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅源电压为16V，Id连续漏电流为20A，Vds漏源击穿电压为40V，漏极-源极电阻Rds为8毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
IPG20N04S412ATMA1带用户指南，包括4V@15μA Vgs th Max Id，设计用于PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如12.2 mOhm@17A，10V，Power Max设计为在41W下工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有1470pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id为25°C，为20A。
IPG20N04S412ATMA1，带电路图，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于18nC@10V，以及1470pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为41W，最大Id Vgs的Rds为12.2 mOhm@17A，10V，系列为汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，供应商设备包为PG-TDSON-8-10，Vgs th最大Id为4V@15μA。
