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DMC2640L0R是TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6，其中包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了SOT-23-6中使用的包装盒，该SOT-23-6提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于MINI6-G4-B，以及双重配置，该器件也可以用作300mW最大功率。此外，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），该器件提供100mA集流器Ic Max，该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为4.7k，电阻器发射极基极R2欧姆为4.7k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为100 mA，典型输入电阻为4.7千欧。
DMC2640F0R是TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6，包括50V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于4.7千欧的典型输入电阻器，其提供了晶体管类型的功能，如2 NPN-预偏置（双），晶体管极性设计为在NPN中工作，以及Mini6-G4-B供应商设备包，该设备也可以用作10k电阻发射极基极R2欧姆。此外，电阻器基极R1欧姆为4.7k，该器件的最大功率为300mW，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-23-6，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@5mA，10V，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为500nA，连续集电极电流为100mA；配置为Dual，集电极-发射极电压VCEO Max为50V。
DMC26460R是TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为以双配置运行，数据表注释中显示了用于100 mA的连续集电极电流，其提供了最大电流集电极截止功能，如500nA，集电极Ic Max设计为在100 mA下工作，10V直流电流增益hFE最小Ic Vce，其最大工作温度范围为+150℃。此外，安装类型为表面安装，器件采用SMD/SMT安装方式，器件具有SOT-23-6封装盒，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为300mW，电阻基极R1欧姆为4.7k，供应商器件封装为Mini6-G4-B，晶体管极性为NPN，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），典型输入电阻为4.7千欧，Vce饱和最大Ib-Ic为250毫伏@500μA，10毫安，集电极-发射极击穿最大值为50伏。
DMC26450R是TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6，包括表面安装型，设计用于SOT-23-6封装盒，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备封装设计用于MINI6-G4-B，以及双配置，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，电压集电极-发射极击穿最大值为50V，该器件提供500nA电流集电极截止最大值，该器件具有50V集电极-发射器电压VCEO最大值，功率最大值为300mW，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@500μa，10mA，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA，10V，电阻器基极R1欧姆为10k，集流器Ic最大值为100mA，连续集流器电流为100 mA，典型输入电阻器为10 k欧姆，其最大工作温度范围为+150 C。
