9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6973DQ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6973DQ-T1-E3价格参考1.942美元。Vishay Siliconix SI6973DQ-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP。您可以下载SI6973DQ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6969DQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可作为2 P通道（双通道）使用FET类型。此外，最大功率为1.1W，该器件提供12V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，最大Id Vgs的Rds为34mOhm@4.6A，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为40nC@4.5V。
SI6969DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP，包括450mV@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如34mOhm@4.6A，4.5V，Power Max设计用于1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有40nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V。
SI6969DQ-T1是由科信制造的Trans-MOSFET P-CH Si 12V 4.6A 8引脚TSSOP T/R。SI6969DQ-T1在TSSOP08封装中提供，是FET阵列的一部分，并支持Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.6A 8引脚TSSOP T/R。
