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IPG20N10S4L22ATMA1是MOSFET 2N-CH 8TDSON，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于IPG20N10S4L-22 IPG20T10S4L22XT SP000866570的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为60W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1755pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为2.1V@25μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，Pd功耗为60W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为3纳秒，Vgs栅极-源极电压为+/-16 V，Id连续漏极电流为20 A 20 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V 100 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.6 V，Rds导通漏极-漏极电阻为20毫欧20毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30纳秒，典型开启延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为21nC，信道模式为增强。
IPG20N10S4L22AATMA1是MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8，包括2.1V@25μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表中，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PG-TDSON-8-10，以及OptiMOS？系列，该设备也可以用作22 mOhm@17A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为60W，该设备采用IPG20N10S4L-22A SP001091984零件别名，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1755pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id为25°C，为20A。
带有电路图的IPG20N10S4L-35，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为使用1个通道数量的通道进行操作，数据表注释中显示了TDSON-8中使用的封装盒，该TDSON-8提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPG20T10S4L35ATMA1 IPG20R10S4L35XT SP000859022以及XPG20N10系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
